基本信息
| 标准名称： | 半导体分立器件 3DG251型硅超高频低噪声晶体管详细规范 |
| 英文名称： | Semiconductor discrete devices Detail specification for type 3DG251 silicon UHF low-noise transistor |
| 中标分类： | 电子元器件与信息技术 >> 半导体分立器件 >> 半导体分立器件综合 |
| 发布部门： | 中华人民共和国信息产业部 |
| 发布日期： | 2002-10-30 |
| 实施日期： | 2003-03-01 |
| 首发日期： | 1900-01-01 |
| 作废日期： | 1900-01-01 |
| 提出单位： | 中华人民共和国信息产业部 |
| 归口单位： | 信息产业部电子第四研究所 |
| 起草单位： | 中国电子科技集团公司第十三所 |
| 起草人： | 高林颖、王于辉、催波 |
| 出版社： | 中国电子工业出版社 |
| 出版日期： | 2003-03-01 |
| 页数： | 9页 |
适用范围
本规范规定了3DG251超高频低噪声晶体管的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
前言
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目录
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引用标准
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所属分类： 电子元器件与信息技术 半导体分立器件 半导体分立器件综合